ПЛАТЫ ИЗ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СПЕКАЕМОЙ КЕРАМИКИ
СО ВСТРОЕННЫМИ ПЛОСКИМИ ТЕПЛОВЫМИ ТРУБАМИ
В ИВМ СО РАН ведутся работы по созданию
техологии электронных плат из низко-
температурной керамики (Low Temperature Co-
fired Ceramic – LTCC) со встроенной плоской теп-
ловой трубой для эффективного отвода тепла от
радиоэлементов с высокой плотностью мощнос-
ти тепловыделения. Керамические платы пред-
полагается использовать в узлах энергопреоб-
разующего комплекса космических аппаратов,
создаваемых в АО «Информационные спутни-
ковые системы” имени академика М. Ф. Решет-
нёва”». Испытания образцов электронных моду-
лей размером 50 х 50 мм с мощными источника-
ми тепла (мощные MOSFET транзисторы) пока-
зали, что встроенная тепловая труба обеспечи-
вает отвод более чем 20 Вт тепловой мощности
2
от элемента с площадью тепловыделения 1 см .
Тепловое сопротивление между элементом на
плате и теплоотводящей поверхностью, на кото-
рую устанавливается плата, составляет
0,8 C/Вт.
The ICM SB RAS is working on the develop-
ment of the technology of Low Temperature Co-
fired Ceramic (LTCC) circuit boards with an
embedded flat heat pipe for efficient high heat
flux removal from electronic components. The
ceramic boards are supposed to be used in the
high power electronic equipment for energy-
transforming complex of space vehicles created
in JSC «Academician M.F. Reshetnev’s «Infor-
mation Satellite Systems» (Zheleznogorsk, Rus-
sia). Tests of samples of 50 х 50 mm electronic
modules with heat sources (high power
MOSFET transistors) showed that the built-in
flat heat pipe provides more than 20 W of ther-
mal power from an element with a heat dissipa-
2
tion area of 1 cm . The thermal resistance
between the element on the board and the heat
sink surface on which the board is installed is
0.8 ° C / W.
Распределение капиллярной
нагрузки (шкала в %)
и поля скоростей жидкости
в пористой структуре, мощность
источника тепла 20 Вт
The capillary load distribution (%)
and the velocity field of the liquid
In the porous structure, the power
of the heat source is 20 W
Внутренняя конструкция образца
Internal structure of the sample
Образец LTCC-платы
со встроенной тепловой трубой
LTCC-module with flat heat pipe
Термограмма поверхности платы,
мощность транзистора Q1 = 20 Вт,
максимум температуры T = 33,0 °C,
температура основания Tc = 20 °C
The infrared image of the ceramic plate
with high power transistors, the power
of the one transistor Q1 = 20 W,
the maximum temperature T = 33.0 °C,
the base temperature Tc = 20 °C
Красноярск / Krasnoyarsk
ICM.KRASN.RU
ИНСТИТУТ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОГО
МОДЕЛИРОВАНИЯ СО РАН
INSTITUTE OF COMPUTATIONAL MODELLING SB RAS
THE LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMICS MODULES WITH EMBEDDED
FLAT HEAT PIPE